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Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13
제조업체 부품 번호
HTMN5130SSD-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
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HTMN5130SSD-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HTMN5130SSD-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HTMN5130SSD
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs130m옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds218.7pF @ 25V
전력 - 최대1.7W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름HTMN5130SSD-13DI
HTMN5130SSD-13DI-ND
HTMN5130SSD-13DITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HTMN5130SSD-13
관련 링크HTMN5130, HTMN5130SSD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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