창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HSM825JE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HSM825,830,835,840,845 DO-214BA Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 25V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 620mV @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 25V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | DO-214AB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HSM825JE3/TR13 | |
관련 링크 | HSM825JE, HSM825JE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 30D106G050CB2A | 10µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 30D106G050CB2A.pdf | |
![]() | GP310 | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | GP310.pdf | |
![]() | HM71-50151LFTR | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 250 mOhm Max Nonstandard | HM71-50151LFTR.pdf | |
![]() | CRCW06033R83FNTA | RES SMD 3.83 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06033R83FNTA.pdf | |
![]() | 13N50 | 13N50 TRUESEMI TO-220 | 13N50.pdf | |
![]() | CT9952QP-GP | CT9952QP-GP WINBOND PLCC32 | CT9952QP-GP.pdf | |
![]() | AM9218-15DC | AM9218-15DC AMD DIP | AM9218-15DC.pdf | |
![]() | ICL7101 | ICL7101 ORIGINAL SMD or Through Hole | ICL7101.pdf | |
![]() | dsPIC33FJ256MC710A-I/PF | dsPIC33FJ256MC710A-I/PF Microchip SMD or Through Hole | dsPIC33FJ256MC710A-I/PF.pdf | |
![]() | CR21B333JT | CR21B333JT RGA SMD or Through Hole | CR21B333JT.pdf | |
![]() | PESD3V3S2UAT.215 | PESD3V3S2UAT.215 NXP SMD or Through Hole | PESD3V3S2UAT.215.pdf |