창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HQCCHA220GAT9A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Hi-Q High RF Power | |
| 카탈로그 페이지 | 2126 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | Hi-Q® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 22pF | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전압 - 정격 | 3000V(3kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 2325(5864 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.145"(3.68mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 478-4547 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HQCCHA220GAT9A | |
| 관련 링크 | HQCCHA22, HQCCHA220GAT9A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | AV9107-03 | AV9107-03 ORIGINAL SOP | AV9107-03.pdf | |
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![]() | RT0805BR-072K2L | RT0805BR-072K2L YAGEO SMD or Through Hole | RT0805BR-072K2L.pdf | |
![]() | SDA010//AD558SE | SDA010//AD558SE ORIGINAL SMD or Through Hole | SDA010//AD558SE.pdf | |
![]() | MHF+2815DF/883 | MHF+2815DF/883 interpoint DIP | MHF+2815DF/883.pdf | |
![]() | EASG630ELL221MJ16S | EASG630ELL221MJ16S NIPPON DIP | EASG630ELL221MJ16S.pdf | |
![]() | BFD3510R2FD8G | BFD3510R2FD8G samhwa DIP | BFD3510R2FD8G.pdf | |
![]() | MB89254H-PF-G-BMD | MB89254H-PF-G-BMD FUJ DIP | MB89254H-PF-G-BMD.pdf |