Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)
제조업체 부품 번호
HN1B01FU-Y(L,F,T)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
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내부 부품 번호EIS-HN1B01FU-Y(L,F,T)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HN1B01F
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)150mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
전력 - 최대200mW
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지US6
표준 포장 3,000
다른 이름HN1B01FU-Y(LFT)TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HN1B01FU-Y(L,F,T)
관련 링크HN1B01FU-Y, HN1B01FU-Y(L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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