창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HN1A01FU-GR,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HN1A01FU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | US6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | HN1A01FU-GR,LF(B HN1A01FU-GR,LF(T HN1A01FU-GR,LKF(T HN1A01FU-GRLFTR HN1A01FUGRLFT HN1A01FUGRLFTTR HN1A01FUGRLFTTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HN1A01FU-GR,LF | |
| 관련 링크 | HN1A01FU, HN1A01FU-GR,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
| UPJ1J120MDD1TD | 12µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPJ1J120MDD1TD.pdf | ||
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![]() | TS122F11CET | 12.288MHz ±10ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS122F11CET.pdf | |
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![]() | LTC3850IGN#PBF/E | LTC3850IGN#PBF/E LT SMD or Through Hole | LTC3850IGN#PBF/E.pdf | |
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![]() | SMW-2518LBP-4R7M | SMW-2518LBP-4R7M INDUCTORS SMD | SMW-2518LBP-4R7M.pdf |