창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HGTG30N60B3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HGTG30N60B3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Plating Material 20/Dec/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 60A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 220A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A | |
전력 - 최대 | 208W | |
스위칭 에너지 | 500µJ(켜기), 680µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 170nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 36ns/137ns | |
테스트 조건 | 480V, 30A, 3옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | HGTG30N60B3-ND HGTG30N60B3FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HGTG30N60B3 | |
관련 링크 | HGTG30, HGTG30N60B3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM3195C1H393JA01J | 0.039µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3195C1H393JA01J.pdf | ||
DSC1001AI2-015.5000T | 15.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001AI2-015.5000T.pdf | ||
B82144B1223K | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 1.25A 280 mOhm Max Radial | B82144B1223K.pdf | ||
S0603-39NF3 | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-39NF3.pdf | ||
IDT7024S-15PF | IDT7024S-15PF IDT TQFP | IDT7024S-15PF.pdf | ||
CSP1037 | CSP1037 CS SOP16 | CSP1037.pdf | ||
DT75N08KOF | DT75N08KOF EUPEC SMD or Through Hole | DT75N08KOF.pdf | ||
LA7147M | LA7147M SANYO SMD or Through Hole | LA7147M.pdf | ||
100V22000UF 50X105 | 100V22000UF 50X105 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V22000UF 50X105.pdf | ||
MF60SS121R1%TK50 | MF60SS121R1%TK50 ORIGINAL SMD or Through Hole | MF60SS121R1%TK50.pdf | ||
R6793 | R6793 CONEXANT TQFP | R6793.pdf | ||
AOB14N50L | AOB14N50L AO NA | AOB14N50L.pdf |