창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HES-O3-2MD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HES-O3-2MD | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HES-O3-2MD | |
관련 링크 | HES-O3, HES-O3-2MD 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | EKMH250VNN223MR45T | 22000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 23 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH250VNN223MR45T.pdf | |
![]() | GRM0335C1H160JA01D | 16pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H160JA01D.pdf | |
![]() | SR152A680JAR | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A680JAR.pdf | |
![]() | TS19BF23CET | 19.6608MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS19BF23CET.pdf | |
![]() | VS-50WQ03FNPBF | DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK | VS-50WQ03FNPBF.pdf | |
![]() | IHSM5832RF221L | 220µH Unshielded Inductor 690mA 1.1 Ohm Max Nonstandard | IHSM5832RF221L.pdf | |
![]() | MTP3N85FI | MTP3N85FI ORIGINAL TO220 | MTP3N85FI.pdf | |
![]() | G3M-202P-US-DC12 | G3M-202P-US-DC12 OMRON SMD or Through Hole | G3M-202P-US-DC12.pdf | |
![]() | PTWL1102PBSR | PTWL1102PBSR TI SMD or Through Hole | PTWL1102PBSR.pdf | |
![]() | AV0809AABE-N7 | AV0809AABE-N7 AD DIP | AV0809AABE-N7.pdf | |
![]() | BK2411 | BK2411 BK QFN20QFN24 | BK2411.pdf |