창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HBZ680KBBCRAKR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HBU/Z/E/X Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | HBZ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 68pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
| 온도 계수 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
| 크기/치수 | 0.276" Dia(7.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.394"(10.00mm) | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | 스트레이트형 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HBZ680KBBCRAKR | |
| 관련 링크 | HBZ680KB, HBZ680KBBCRAKR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1121CI2-133.3330 | 133.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CI2-133.3330.pdf | |
![]() | D82456Q2001 | D82456Q2001 NEC BGA | D82456Q2001.pdf | |
![]() | 290001 | 290001 ST SOP8 | 290001.pdf | |
![]() | BA6871S | BA6871S ROHM DIP | BA6871S.pdf | |
![]() | CDRH124-121M | CDRH124-121M SUMIDA SMD | CDRH124-121M.pdf | |
![]() | 600F470FT250T | 600F470FT250T ATC SMD | 600F470FT250T.pdf | |
![]() | 198023-1 | 198023-1 FUJITSU CAN3 | 198023-1.pdf | |
![]() | MAX5073ETI | MAX5073ETI MAXIM QFN-28 | MAX5073ETI.pdf | |
![]() | 528073010 | 528073010 MOLEX Original Package | 528073010.pdf | |
![]() | K4S280832B-TL1L | K4S280832B-TL1L SAMSUNG 128MSDRAM | K4S280832B-TL1L.pdf |