Diodes Incorporated HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7
제조업체 부품 번호
HBDM60V600W-7
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
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내부 부품 번호EIS-HBDM60V600W-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HBDM60V600W
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 16/Sept/2008
카탈로그 페이지 1573 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA, 600mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)65V, 60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
전력 - 최대200mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름HBDM60V600W7
HBDM60V600WDITR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HBDM60V600W-7
관련 링크HBDM60V, HBDM60V600W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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