창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HAZ102MBACRBKR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HAU/Z/E/X Series | |
| PCN 설계/사양 | Eliminate Pb in Ceramic Capacitors 26/Feb/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | HAZ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1000pF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
| 크기/치수 | 0.354" Dia(9.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.472"(12.00mm) | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | 스트레이트형 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HAZ102MBACRBKR | |
| 관련 링크 | HAZ102MB, HAZ102MBACRBKR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AC-8-25SQ | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA Standby | SIT9003AC-8-25SQ.pdf | |
![]() | WR-80PB-VF50-1-E1300 | WR-80PB-VF50-1-E1300 JAE SMD or Through Hole | WR-80PB-VF50-1-E1300.pdf | |
![]() | 1AB195760001 | 1AB195760001 NS NA | 1AB195760001.pdf | |
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![]() | LC82AY-0 | LC82AY-0 OK SMD or Through Hole | LC82AY-0.pdf | |
![]() | TRB81295NLE | TRB81295NLE TRC SOP40 | TRB81295NLE.pdf | |
![]() | M34280M1-130FP | M34280M1-130FP ORIGINAL SOP-20 | M34280M1-130FP.pdf | |
![]() | H5MS2532NFR-K3M | H5MS2532NFR-K3M hynix FBGA. | H5MS2532NFR-K3M.pdf | |
![]() | MNR-3010-3R3 | MNR-3010-3R3 Maglayers SMD | MNR-3010-3R3.pdf | |
![]() | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR SEIKO SMD or Through Hole | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR.pdf |