Renesas Electronics America HAT2168H-EL-E

HAT2168H-EL-E
제조업체 부품 번호
HAT2168H-EL-E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
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HAT2168H-EL-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HAT2168H-EL-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HAT2168H
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.9m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs11nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1730pF @ 10V
전력 - 최대15W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669
공급 장치 패키지LFPAK
표준 포장 2,500
다른 이름HAT2168H-EL-E-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HAT2168H-EL-E
관련 링크HAT2168, HAT2168H-EL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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RT334024WG 7-1415538-5.pdf
RES 7.87 OHM 0.4W 1% AXIAL SFR2500007878FR500.pdf
M82810G-15P MNDSPEED BGA M82810G-15P.pdf
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