창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HAT2160H-EL-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HAT2160H | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7750pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HAT2160H-EL-E | |
관련 링크 | HAT2160, HAT2160H-EL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
HMK212B7104MGHT | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | HMK212B7104MGHT.pdf | ||
DSC1124CI2-200.0000T | 200MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124CI2-200.0000T.pdf | ||
LFE3-70EA-7FN484I | LFE3-70EA-7FN484I LATTICE SMD or Through Hole | LFE3-70EA-7FN484I.pdf | ||
DTB743ZE | DTB743ZE ROHM SOT-416 | DTB743ZE.pdf | ||
MBM27C1001-10Z | MBM27C1001-10Z ORIGINAL DIP | MBM27C1001-10Z.pdf | ||
MAX622ACSA+T | MAX622ACSA+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX622ACSA+T.pdf | ||
M37777MAA-3AOGP | M37777MAA-3AOGP MIT QFP | M37777MAA-3AOGP.pdf | ||
XSTV2161-AG | XSTV2161-AG ST DIP | XSTV2161-AG.pdf | ||
PE36.3-102200UFTT | PE36.3-102200UFTT ORIGINAL SMD or Through Hole | PE36.3-102200UFTT.pdf | ||
7XXG35397301H01 | 7XXG35397301H01 KDS SMD or Through Hole | 7XXG35397301H01.pdf | ||
MCL2BHTTE068K | MCL2BHTTE068K KOA SMD | MCL2BHTTE068K.pdf |