창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HAT2131R-EL-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HAT2131R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 350V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 900mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 450mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HAT2131R-EL-E | |
관련 링크 | HAT2131, HAT2131R-EL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
RG3216P-1803-B-T1 | RES SMD 180K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1803-B-T1.pdf | ||
4014C-10 | 4014C-10 NARDA SMD or Through Hole | 4014C-10.pdf | ||
3435AA0015A | 3435AA0015A ORIGINAL PLCC28 | 3435AA0015A.pdf | ||
SMJ29F816FGM | SMJ29F816FGM ORIGINAL SMD or Through Hole | SMJ29F816FGM.pdf | ||
MAZ32400M | MAZ32400M PANASONIC SMD or Through Hole | MAZ32400M.pdf | ||
SN75LP1185DWR | SN75LP1185DWR TI SOP20 | SN75LP1185DWR.pdf | ||
89007-120LF | 89007-120LF FCI SMD or Through Hole | 89007-120LF.pdf | ||
TA7045 | TA7045 ORIGINAL SMD or Through Hole | TA7045.pdf | ||
ST6362B/NS(6340B1NS) | ST6362B/NS(6340B1NS) ST DIP | ST6362B/NS(6340B1NS).pdf | ||
CL4032V | CL4032V ORIGINAL QFP | CL4032V.pdf | ||
2N7002ZWL-AL3-R | 2N7002ZWL-AL3-R UTC SOT-323 | 2N7002ZWL-AL3-R.pdf | ||
MXK9607A | MXK9607A ORIGINAL DIP | MXK9607A.pdf |