창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-H5N2522LSTL-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | H5N2522LSTL-E | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | H5N2522LSTL-E | |
관련 링크 | H5N2522, H5N2522LSTL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
SR215A102JARTR1 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A102JARTR1.pdf | ||
335DER2R5SGU | 3.3F Supercap 2.5V Radial, Can 200 mOhm 1000 Hrs @ 70°C 0.394" Dia (10.00mm) | 335DER2R5SGU.pdf | ||
TXS2SL-L-1.5V-Z | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TXS2SL-L-1.5V-Z.pdf | ||
CRGH2010F182K | RES SMD 182K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F182K.pdf | ||
D20418-80(A) | D20418-80(A) CANNON SMD or Through Hole | D20418-80(A).pdf | ||
SMB-ULD-PQ1-1 | SMB-ULD-PQ1-1 DOMINAT ROHS | SMB-ULD-PQ1-1.pdf | ||
DSS310H-92B220M250 | DSS310H-92B220M250 MURATA SMD or Through Hole | DSS310H-92B220M250.pdf | ||
SA2301/BM2302 | SA2301/BM2302 N/A SMD or Through Hole | SA2301/BM2302.pdf | ||
T7640ARQ | T7640ARQ AD SOP8 | T7640ARQ.pdf | ||
ON355334-14 | ON355334-14 HARRIS DIP24 | ON355334-14.pdf | ||
RC0603FR-07113K | RC0603FR-07113K YAGEO SMD or Through Hole | RC0603FR-07113K.pdf | ||
NC7SV58FHX | NC7SV58FHX FSC Call | NC7SV58FHX.pdf |