창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-H3DE-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | H3DE-G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | H3DE-G | |
| 관련 링크 | H3D, H3DE-G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TH3C156M010E1800 | 15µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TH3C156M010E1800.pdf | |
![]() | 173D226X0035YE3 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 35V Axial 0.280" Dia x 0.550" L (7.11mm x 13.97mm) | 173D226X0035YE3.pdf | |
![]() | ASTMHTA-10.000MHZ-AR-E | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-10.000MHZ-AR-E.pdf | |
![]() | S1812-221G | 220nH Shielded Inductor 1.154A 150 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-221G.pdf | |
![]() | LPS0800H10R0JB | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 800W | LPS0800H10R0JB.pdf | |
![]() | RF3110E12.1 | RF3110E12.1 n/a BGA | RF3110E12.1.pdf | |
![]() | 54AC64DMQB | 54AC64DMQB NSC CDIP | 54AC64DMQB.pdf | |
![]() | STR-G6624 | STR-G6624 SANKEN TO-220 | STR-G6624.pdf | |
![]() | VF4M-81H11S08 | VF4M-81H11S08 Tyco con | VF4M-81H11S08.pdf | |
![]() | CD87C51-1 | CD87C51-1 ORIGINAL DIP | CD87C51-1.pdf | |
![]() | ADG1212YCPZ-500RL7 | ADG1212YCPZ-500RL7 ANA ORIGINAL | ADG1212YCPZ-500RL7.pdf | |
![]() | FH12S-45S-0.5SH(81) | FH12S-45S-0.5SH(81) HRS SMD | FH12S-45S-0.5SH(81).pdf |