창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-H11D3SR2M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | H11D1M-3M, 4N38M, MOC8204M | |
| 카탈로그 페이지 | 2759 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 4170Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 20% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | 5µs, 5µs | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 베이스 포함 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 200V | |
| 전류 - 출력/채널 | 100mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.15V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 80mA | |
| Vce 포화(최대) | 400mV | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | H11D3SR2MTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | H11D3SR2M | |
| 관련 링크 | H11D3, H11D3SR2M 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | R6011ENJTL | MOSFET N-CH 600V 11A LPT | R6011ENJTL.pdf | |
![]() | SDV1005E180C800 | SDV1005E180C800 SUNLORD SMD or Through Hole | SDV1005E180C800.pdf | |
![]() | TA8607 | TA8607 TOSHIBA DIP | TA8607.pdf | |
![]() | MAX7528KN+ | MAX7528KN+ MAXIM DIP20 | MAX7528KN+.pdf | |
![]() | VJ0805U474ZXJTM(0805-474Z) | VJ0805U474ZXJTM(0805-474Z) VISHAY SMD or Through Hole | VJ0805U474ZXJTM(0805-474Z).pdf | |
![]() | MFE3500CCA09 | MFE3500CCA09 ORIGINAL SMD or Through Hole | MFE3500CCA09.pdf | |
![]() | 1008HS-102XJBC | 1008HS-102XJBC DELTA SMD | 1008HS-102XJBC.pdf | |
![]() | EL5100IW-T7 | EL5100IW-T7 Intersil SOT-23-6 | EL5100IW-T7.pdf | |
![]() | 0097-1149 | 0097-1149 MA/COM SMD or Through Hole | 0097-1149.pdf | |
![]() | 4BGAE | 4BGAE N/A SOJ14 | 4BGAE.pdf | |
![]() | 647402-4 | 647402-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 647402-4.pdf | |
![]() | OM11001 | OM11001 NXP SMD or Through Hole | OM11001.pdf |