창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-H11AA4SR2VM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | H11AAxM Series | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 4170Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 100% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | - | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | AC, DC | |
| 출력 유형 | 베이스 포함 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 30V | |
| 전류 - 출력/채널 | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.17V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 60mA | |
| Vce 포화(최대) | 400mV | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | H11AA4SR2VM-ND H11AA4SR2VMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | H11AA4SR2VM | |
| 관련 링크 | H11AA4, H11AA4SR2VM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C2A6R0CA01J | 6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A6R0CA01J.pdf | |
![]() | 12065A620FAT2A | 62pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A620FAT2A.pdf | |
![]() | ISO7340CQDWRQ1 | General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 4 Channel 25Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ISO7340CQDWRQ1.pdf | |
![]() | CTSD25F-1R2M | CTSD25F-1R2M CENTRAL SMD or Through Hole | CTSD25F-1R2M.pdf | |
![]() | EM78P418ND18J | EM78P418ND18J ELAN DIP-18 | EM78P418ND18J.pdf | |
![]() | VY16812-2 | VY16812-2 VLSI PGA | VY16812-2.pdf | |
![]() | 50GAK6CJ | 50GAK6CJ N/A QFN | 50GAK6CJ.pdf | |
![]() | CLASS | CLASS ONSemi SMD or Through Hole | CLASS.pdf | |
![]() | RLZ TE11 5.6B | RLZ TE11 5.6B ROHM SOD | RLZ TE11 5.6B.pdf | |
![]() | ELMOS289 | ELMOS289 N/A DIP | ELMOS289.pdf | |
![]() | NB3N3020DT | NB3N3020DT ON TSSOP16 | NB3N3020DT.pdf | |
![]() | AF269 | AF269 MOT CAN | AF269.pdf |