창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GWM120-0075P3-SMD SAM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GWM120-0075P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 118A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 17-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS-DIL™ | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GWM120-0075P3-SMD SAM | |
| 관련 링크 | GWM120-0075P, GWM120-0075P3-SMD SAM 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-8ARB2261V | RES SMD 2.26K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB2261V.pdf | |
![]() | 220SAF7C2934 | 220SAF7C2934 N/A SMD or Through Hole | 220SAF7C2934.pdf | |
![]() | RD3.0L-T2 | RD3.0L-T2 NEC LL34 | RD3.0L-T2.pdf | |
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![]() | C1005C0G1H090DT | C1005C0G1H090DT TDK SMD | C1005C0G1H090DT.pdf | |
![]() | TPCR226K006RNJ | TPCR226K006RNJ AVX R | TPCR226K006RNJ.pdf | |
![]() | 2SC6226-R25 | 2SC6226-R25 NEC/JRC SMD or Through Hole | 2SC6226-R25.pdf | |
![]() | LM318AH/883Q | LM318AH/883Q NS SMD or Through Hole | LM318AH/883Q.pdf | |
![]() | S-80844CNMC-B85T2U | S-80844CNMC-B85T2U SEIKO SOT23-5 | S-80844CNMC-B85T2U.pdf | |
![]() | OP070669P | OP070669P ADI Call | OP070669P.pdf | |
![]() | R5F211B1SPU00G | R5F211B1SPU00G renesas SMD or Through Hole | R5F211B1SPU00G.pdf |