창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GS8182T18BGD-167I | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GS8182T18BGD-167I | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | NA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GS8182T18BGD-167I | |
| 관련 링크 | GS8182T18B, GS8182T18BGD-167I 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SQCB7A160JATME | 16pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7A160JATME.pdf | |
![]() | C907U709DZNDCAWL20 | 7pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U709DZNDCAWL20.pdf | |
![]() | 416F27123ITT | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123ITT.pdf | |
| SIHP22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | SIHP22N60E-E3.pdf | ||
![]() | CRCW121026R1FKEA | RES SMD 26.1 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121026R1FKEA.pdf | |
![]() | 339-1EVGW | 339-1EVGW EVERLIGHT SMD or Through Hole | 339-1EVGW.pdf | |
![]() | MP4459DQT-LF-P | MP4459DQT-LF-P MPS TQFN10-3 | MP4459DQT-LF-P.pdf | |
![]() | PC1510GVF | PC1510GVF ORIGINAL BGA | PC1510GVF.pdf | |
![]() | PP231024D | PP231024D SNK DIP-28 | PP231024D.pdf | |
![]() | 1XGT60N60 | 1XGT60N60 ORIGINAL TO-247 | 1XGT60N60.pdf | |
![]() | XC2S150-4FG456 | XC2S150-4FG456 EXILINX QFP | XC2S150-4FG456.pdf | |
![]() | SBR60A60CTB | SBR60A60CTB DIODES TO-263 | SBR60A60CTB.pdf |