창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GRM32ER60J226M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GRM32ER60J226M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GRM32ER60J226M | |
| 관련 링크 | GRM32ER6, GRM32ER60J226M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C3216JB2J332K115AA | 3300pF 630V 세라믹 커패시터 JB 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216JB2J332K115AA.pdf | |
![]() | 251R14S4R7AV4T | 4.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S4R7AV4T.pdf | |
![]() | SDR6603-680M | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 860 mOhm Max Nonstandard | SDR6603-680M.pdf | |
![]() | B82462G4474M | 470µH Shielded Wirewound Inductor 240mA 2.7 Ohm Max Nonstandard | B82462G4474M.pdf | |
![]() | RP73PF1J332RBTDF | RES SMD 332 OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J332RBTDF.pdf | |
![]() | MPMT10011003FT1 | RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3 | MPMT10011003FT1.pdf | |
![]() | OX101KE | RES 100 OHM 1W 10% AXIAL | OX101KE.pdf | |
![]() | IXFC24N50 | IXFC24N50 IXYS ISOPLUS220 | IXFC24N50.pdf | |
![]() | BAS70-04W-7-F | BAS70-04W-7-F DIODES SOT-323 | BAS70-04W-7-F.pdf | |
![]() | FA5541N-A2-TE1 | FA5541N-A2-TE1 FUJI SMD or Through Hole | FA5541N-A2-TE1.pdf | |
![]() | WGR1000BSLAAZ | WGR1000BSLAAZ INTEL SMD or Through Hole | WGR1000BSLAAZ.pdf | |
![]() | XC6222B30BPR-G | XC6222B30BPR-G TOREX SOT89-5 | XC6222B30BPR-G.pdf |