창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GRM0335C2A6R0DA01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs GRM0335C2A6R0DA01 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GRM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 6pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | 490-7252-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GRM0335C2A6R0DA01D | |
| 관련 링크 | GRM0335C2A, GRM0335C2A6R0DA01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | SA102A680JAR | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A680JAR.pdf | |
![]() | ECW-H12163RJV | 0.016µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.295" W (23.00mm x 7.50mm) | ECW-H12163RJV.pdf | |
![]() | APT30S20BCTG | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 | APT30S20BCTG.pdf | |
![]() | 1N5931BP-TP | DIODE ZENER 18V 1.5W DO41 | 1N5931BP-TP.pdf | |
![]() | IXXH100N60C3 | IGBT 600V 190A 830W TO247AD | IXXH100N60C3.pdf | |
| CDR6D23MNNP-470NC | 47µH Shielded Inductor 540mA 456.3 mOhm Max Nonstandard | CDR6D23MNNP-470NC.pdf | ||
![]() | ST-32AT3K | ST-32AT3K COPAL 33-3K | ST-32AT3K.pdf | |
![]() | NLNSE5512EGLQ | NLNSE5512EGLQ ORIGINAL SMD or Through Hole | NLNSE5512EGLQ.pdf | |
![]() | CD4009BF3A | CD4009BF3A TI CDIP | CD4009BF3A.pdf | |
![]() | AM8205A | AM8205A CET TSSOP8 | AM8205A.pdf | |
![]() | LV52C | LV52C EPCOS QFN | LV52C.pdf | |
![]() | LQH1A8N8J04M00-01 | LQH1A8N8J04M00-01 MURATA SMD | LQH1A8N8J04M00-01.pdf |