창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GRM0225C1E6R3CA03L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GRM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 6.3pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 01005(0402 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.009"(0.22mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 40,000 | |
| 다른 이름 | 490-13646-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GRM0225C1E6R3CA03L | |
| 관련 링크 | GRM0225C1E, GRM0225C1E6R3CA03L 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | P4KE100CATR | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41 | P4KE100CATR.pdf | |
![]() | S0402-56NG3C | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-56NG3C.pdf | |
![]() | RNCP0805FTD33K2 | RES SMD 33.2K OHM 1% 1/4W 0805 | RNCP0805FTD33K2.pdf | |
![]() | CMF5515K000FHEK70 | RES 15K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5515K000FHEK70.pdf | |
![]() | 200Z70101TR | 200Z70101TR ORIGINAL 1206T | 200Z70101TR.pdf | |
![]() | STK5337 | STK5337 SANYO HYB-8 | STK5337.pdf | |
![]() | RF0402-68.1K | RF0402-68.1K Uniohm SMD or Through Hole | RF0402-68.1K.pdf | |
![]() | LM48511SQBD/NOPB | LM48511SQBD/NOPB NationalSemiconductorTI SMD or Through Hole | LM48511SQBD/NOPB.pdf | |
![]() | SM5545TEV-25.0M | SM5545TEV-25.0M PLE SMD or Through Hole | SM5545TEV-25.0M.pdf | |
![]() | IDT79R4700-133DP | IDT79R4700-133DP ORIGINAL QFP | IDT79R4700-133DP.pdf | |
![]() | R5F21132FP#UO | R5F21132FP#UO RENESAS QFP32 | R5F21132FP#UO.pdf | |
![]() | KFG1G16U2B-DIB6000 | KFG1G16U2B-DIB6000 SAMSUNG BGA | KFG1G16U2B-DIB6000.pdf |