창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GR8210N GR8210N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GR8210N GR8210N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GR8210N GR8210N | |
| 관련 링크 | GR8210N G, GR8210N GR8210N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385456040JKI2B0 | 0.56µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.354" W (31.50mm x 9.00mm) | MKP385456040JKI2B0.pdf | |
![]() | CMR06F152JPDR | CMR MICA | CMR06F152JPDR.pdf | |
![]() | 445I33S16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I33S16M00000.pdf | |
![]() | BYG23M-M3/TR3 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | BYG23M-M3/TR3.pdf | |
![]() | PA2607.271AHL | 270nH Shielded Inductor 41A 0.29 mOhm Nonstandard | PA2607.271AHL.pdf | |
![]() | 5050-R | 5050-R TF SMD or Through Hole | 5050-R.pdf | |
![]() | TCL-H13V03-TO=8829CSNG5JP9 | TCL-H13V03-TO=8829CSNG5JP9 TOSHIBA DIP64 | TCL-H13V03-TO=8829CSNG5JP9.pdf | |
![]() | DF5A5.6LFU,LF(T | DF5A5.6LFU,LF(T TOSHIBA USV | DF5A5.6LFU,LF(T.pdf | |
![]() | HRB0603S151P.400FT | HRB0603S151P.400FT AEM SMD | HRB0603S151P.400FT.pdf | |
![]() | TDA2822/ST | TDA2822/ST ST/ DIP | TDA2822/ST.pdf | |
![]() | 117-93-656-41-005 | 117-93-656-41-005 MILLMAX SMD or Through Hole | 117-93-656-41-005.pdf | |
![]() | DF2Z457V22048 | DF2Z457V22048 SAMW DIP | DF2Z457V22048.pdf |