창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C2E8R2DB12D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C2E8R2DB12 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8.2pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | 0.232"(5.90mm) | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM2195C2E8R2DB12D | |
| 관련 링크 | GQM2195C2E, GQM2195C2E8R2DB12D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC530R-75 | 75MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC530R-75.pdf | |
![]() | LVX125 | LVX125 ON TSOP | LVX125.pdf | |
![]() | T2812S | T2812S ORIGINAL SOP | T2812S.pdf | |
![]() | RQ1E050RP | RQ1E050RP ROHM SO-8 | RQ1E050RP.pdf | |
![]() | RTRNZ0121PA | RTRNZ0121PA TDK SMD or Through Hole | RTRNZ0121PA.pdf | |
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![]() | JQX-38F-60V | JQX-38F-60V ORIGINAL NULL | JQX-38F-60V.pdf | |
![]() | AOT-TAWS-XXYY | AOT-TAWS-XXYY AOT SMD or Through Hole | AOT-TAWS-XXYY.pdf | |
![]() | RT0805ARD079K09L | RT0805ARD079K09L YAGEO SMD | RT0805ARD079K09L.pdf | |
![]() | B966AS-8R2N=P3 | B966AS-8R2N=P3 TOKO SMD or Through Hole | B966AS-8R2N=P3.pdf | |
![]() | TC47C857F-ND81 | TC47C857F-ND81 TOSHIBA QFP | TC47C857F-ND81.pdf | |
![]() | DG187AP | DG187AP DG CDIP | DG187AP.pdf |