창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C2E5R6DB12J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C2E5R6DB12 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 5.6pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM2195C2E5R6DB12J | |
| 관련 링크 | GQM2195C2E, GQM2195C2E5R6DB12J 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
|  | Y1455250R000T9W | RES SMD 250 OHM 0.01% 1/5W 1506 | Y1455250R000T9W.pdf | |
|  | RT1236B7 | RES NTWRK 32 RES 100 OHM 64LBGA | RT1236B7.pdf | |
|  | LAO-80V332MPDS3 | LAO-80V332MPDS3 ELNA DIP | LAO-80V332MPDS3.pdf | |
|  | IRF7923PBF | IRF7923PBF IOR QFN | IRF7923PBF.pdf | |
|  | SS115A5 | SS115A5 IRC SOP-8 | SS115A5.pdf | |
|  | Pm39LV512-70JCE | Pm39LV512-70JCE PMC SMD or Through Hole | Pm39LV512-70JCE.pdf | |
|  | TMS320C6415ZLZD | TMS320C6415ZLZD TI BGA | TMS320C6415ZLZD.pdf | |
|  | 1SV245(TH2 | 1SV245(TH2 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV245(TH2.pdf | |
|  | AP2317N | AP2317N APEC SOT23-3 | AP2317N.pdf | |
|  | 12-21UYOC/S530-A2 | 12-21UYOC/S530-A2 EVERLIGHT SMD or Through Hole | 12-21UYOC/S530-A2.pdf | |
|  | NE83Q93N | NE83Q93N PHI DIP-24 | NE83Q93N.pdf |