창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C2E121GB12D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C2E121GB12 Ref Sheet | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 120pF | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | 0.232"(5.90mm) | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM2195C2E121GB12D | |
| 관련 링크 | GQM2195C2E, GQM2195C2E121GB12D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1555C2A470GB01D | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2A470GB01D.pdf | |
![]() | 375NB3C1555T | 155.52MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA Enable/Disable | 375NB3C1555T.pdf | |
| HS200 3K F | RES CHAS MNT 3K OHM 1% 200W | HS200 3K F.pdf | ||
![]() | MBA02040C5609DC100 | RES 56 OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C5609DC100.pdf | |
![]() | ML1501FE-R52 | RES 1.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | ML1501FE-R52.pdf | |
![]() | ST330S16P1 | ST330S16P1 IR TO-200AC | ST330S16P1.pdf | |
![]() | M29W640GT-70NA6E | M29W640GT-70NA6E ST TSOP-48 | M29W640GT-70NA6E.pdf | |
![]() | Q2406B_4P2T00 | Q2406B_4P2T00 WAVECOM NA | Q2406B_4P2T00.pdf | |
![]() | ST150X2 | ST150X2 FUJI SMD or Through Hole | ST150X2.pdf | |
![]() | ISL6540IRZA-T | ISL6540IRZA-T INTERSIL QFN | ISL6540IRZA-T.pdf | |
![]() | X28C17 | X28C17 ORIGINAL DIP | X28C17.pdf | |
![]() | HCPL- T350 | HCPL- T350 AVAGO SOP8 | HCPL- T350.pdf |