창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C2A201GB12D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C2A201GB12 Ref Sheet GQM Product Summary Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 200pF | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 490-7182-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM2195C2A201GB12D | |
| 관련 링크 | GQM2195C2A, GQM2195C2A201GB12D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | 0TOO010.Z | FUSE EDISON PLUG 10A 125VAC | 0TOO010.Z.pdf | |
![]() | 1N5943PE3/TR8 | DIODE ZENER 56V 1.5W DO204AL | 1N5943PE3/TR8.pdf | |
![]() | IPB320N20N3 G | MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 | IPB320N20N3 G.pdf | |
![]() | CRCW06031R43FNTB | RES SMD 1.43 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031R43FNTB.pdf | |
![]() | T65550B-TM40R2C | T65550B-TM40R2C CHIPS QFP208 | T65550B-TM40R2C.pdf | |
![]() | ACAO | ACAO ORIGINAL 6SOT-23 | ACAO.pdf | |
![]() | CS5331AK-SZ | CS5331AK-SZ ORIGINAL SOP-8 | CS5331AK-SZ.pdf | |
![]() | TS61C33CX | TS61C33CX TAIWAN SOT23 | TS61C33CX.pdf | |
![]() | R3132D26EA3-TR-FA | R3132D26EA3-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R3132D26EA3-TR-FA.pdf | |
![]() | R25672PC3200252Rx4 | R25672PC3200252Rx4 GTechnologyInc Tray | R25672PC3200252Rx4.pdf | |
![]() | TLE2161IDR | TLE2161IDR TI SOP8 | TLE2161IDR.pdf | |
![]() | CL201212T-3R9M-N | CL201212T-3R9M-N ORIGINAL SMD | CL201212T-3R9M-N.pdf |