창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C1H270JB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C1H270JB01 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2166 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 27pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 490-3609-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM2195C1H270JB01D | |
| 관련 링크 | GQM2195C1H, GQM2195C1H270JB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | AD848JR-REEL | AD848JR-REEL AD SOP-8 | AD848JR-REEL.pdf | |
![]() | MB623436UPR-G | MB623436UPR-G FUJ PGA | MB623436UPR-G.pdf | |
![]() | RB0P1F | RB0P1F ORIGINAL SMD or Through Hole | RB0P1F.pdf | |
![]() | DC100-125V | DC100-125V P/N SIP-11 | DC100-125V.pdf | |
![]() | ADC0800CPD | ADC0800CPD AD SMD or Through Hole | ADC0800CPD.pdf | |
![]() | KLP42X-243V2-BBB | KLP42X-243V2-BBB KYCON SMD or Through Hole | KLP42X-243V2-BBB.pdf | |
![]() | TDA5931-5 | TDA5931-5 SIE DIP-16 | TDA5931-5.pdf | |
![]() | 215C. | 215C. INFINEON SOP-8 | 215C..pdf | |
![]() | FC4AAVC215 | FC4AAVC215 N/A SMD or Through Hole | FC4AAVC215.pdf | |
![]() | DG419AC | DG419AC SI SOP8 | DG419AC.pdf | |
![]() | EP1800JM-35 | EP1800JM-35 ALTERA JLCC | EP1800JM-35.pdf | |
![]() | 0459001UR | 0459001UR LTL SMD or Through Hole | 0459001UR.pdf |