창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM1885C2A3R0CB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM1885C2A3R0CB01 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 카탈로그 페이지 | 2165 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 490-3556-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM1885C2A3R0CB01D | |
| 관련 링크 | GQM1885C2A, GQM1885C2A3R0CB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-12-33E-30.000000E | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT8008BI-12-33E-30.000000E.pdf | |
![]() | 2951911 | RELAY GEN PURPOSE | 2951911.pdf | |
![]() | DA38-452M | DA38-452M JAPAN SMD or Through Hole | DA38-452M.pdf | |
![]() | RD20MW-T2B TEL:82766440 | RD20MW-T2B TEL:82766440 NEC SOT-23 | RD20MW-T2B TEL:82766440.pdf | |
![]() | SBA-4086ZSR | SBA-4086ZSR RFMD SMD or Through Hole | SBA-4086ZSR.pdf | |
![]() | TC211A226M002A | TC211A226M002A sunlord/ TC211 | TC211A226M002A.pdf | |
![]() | W27E040P-12Z | W27E040P-12Z WINBOND PLCC | W27E040P-12Z.pdf | |
![]() | STM8S105K6T6C | STM8S105K6T6C ORIGINAL LQFP32 | STM8S105K6T6C .pdf | |
![]() | UPD65034GD-E14-5BC | UPD65034GD-E14-5BC NEC QFP | UPD65034GD-E14-5BC.pdf | |
![]() | H16111DF-R | H16111DF-R FPE SMD or Through Hole | H16111DF-R.pdf | |
![]() | MIC2950-5.0 | MIC2950-5.0 MIC SOT-223 | MIC2950-5.0.pdf |