창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2Y1010AU0F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2Y1010AU0F | |
PCN 조립/원산지 | GP2Y1010AU0F Internal 18/April/2007 | |
카탈로그 페이지 | 2776 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 먼지 센서 | |
제조업체 | Sharp Microelectronics | |
계열 | - | |
부품 현황 | * | |
유형 | 적외선(IR) | |
출력 유형 | - | |
감도 | 0.5V/(0.1mg/m3) | |
전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
전압 - 공급 | 4.5 V ~ 5.5 V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
작동 온도 | -10°C ~ 65°C | |
패키지/케이스 | 모듈, 단일 패스 스루 | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 425-2068 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2Y1010AU0F | |
관련 링크 | GP2Y101, GP2Y1010AU0F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 |
ATV30C580JB-HF | TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB | ATV30C580JB-HF.pdf | ||
FESB16AT-E3/81 | DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB | FESB16AT-E3/81.pdf | ||
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G4P109N-BLF | G4P109N-BLF ORIGINAL BOTHHAND | G4P109N-BLF.pdf | ||
CR32-1180-FK | CR32-1180-FK ASJ SMD or Through Hole | CR32-1180-FK.pdf | ||
10V470UF (6*7) | 10V470UF (6*7) qifa SMD or Through Hole | 10V470UF (6*7).pdf | ||
SE1H474M03005PC28P | SE1H474M03005PC28P SAMWHA SMD or Through Hole | SE1H474M03005PC28P.pdf |