창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A060H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A060F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A060H | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-23-30E-5.350000E | OSC XO 3.0V 5.35MHZ | SIT8008BI-23-30E-5.350000E.pdf | |
![]() | CR75NP-680KC | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 280 mOhm Max Nonstandard | CR75NP-680KC.pdf | |
![]() | RG1005P-2262-D-T10 | RES SMD 22.6KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-2262-D-T10.pdf | |
![]() | RG2012V-6651-W-T5 | RES SMD 6.65KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-6651-W-T5.pdf | |
![]() | TA7669 | TA7669 TOS DIP | TA7669.pdf | |
![]() | BU1920FS | BU1920FS ROHM SOP | BU1920FS.pdf | |
![]() | HM1-7643M-8 | HM1-7643M-8 ORIGINAL CDIP | HM1-7643M-8.pdf | |
![]() | HR151-2812 | HR151-2812 ORIGINAL SMD or Through Hole | HR151-2812.pdf | |
![]() | TIBPAL20R8-20MWB/5962-8767102KA | TIBPAL20R8-20MWB/5962-8767102KA TI CFP-24 | TIBPAL20R8-20MWB/5962-8767102KA.pdf | |
![]() | LXV10VB822M18X35LL | LXV10VB822M18X35LL UMITEDCHEMI-CON DIP | LXV10VB822M18X35LL.pdf | |
![]() | VT9640 | VT9640 VT SMD or Through Hole | VT9640.pdf |