창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M007A080F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M007A080F | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1203-1 1560-1203-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M007A080F | |
관련 링크 | GP2M007, GP2M007A080F 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | FK8V03040L | MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1 | FK8V03040L.pdf | |
![]() | SBCHE710KK | RES 10.0K OHM 7W 10% AXIAL | SBCHE710KK.pdf | |
![]() | HV55-200-34.368MHz | HV55-200-34.368MHz TheConnor-Winfield DIP-4 | HV55-200-34.368MHz.pdf | |
![]() | BCM5397KPBG-P10-B3 | BCM5397KPBG-P10-B3 BROADCOM BGA | BCM5397KPBG-P10-B3.pdf | |
![]() | AT45DB141B-TC | AT45DB141B-TC ATMEL TSOP28 | AT45DB141B-TC.pdf | |
![]() | SLB9635TT1.2FW3.18 | SLB9635TT1.2FW3.18 infineon SMD or Through Hole | SLB9635TT1.2FW3.18.pdf | |
![]() | AD707JR/AR | AD707JR/AR AD SOP-8 | AD707JR/AR.pdf | |
![]() | 4431ADY | 4431ADY Edac SMD or Through Hole | 4431ADY.pdf | |
![]() | C1608X5R0J335KT | C1608X5R0J335KT TDK SMD | C1608X5R0J335KT.pdf | |
![]() | FX2-32S-1.27DSL(71) | FX2-32S-1.27DSL(71) HIROSE SMD or Through Hole | FX2-32S-1.27DSL(71).pdf | |
![]() | YMP4N60BCD | YMP4N60BCD YM SMD or Through Hole | YMP4N60BCD.pdf | |
![]() | BU7807 | BU7807 ORIGINAL SOP | BU7807.pdf |