홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » GP1M018A020PG

Global Power Technologies Group GP1M018A020PG

GP1M018A020PG
제조업체 부품 번호
GP1M018A020PG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
GP1M018A020PG 가격 및 조달

가능 수량

12150 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 657.29680
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 GP1M018A020PG 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP1M018A020PG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP1M018A020PG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
GP1M018A020PG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GP1M018A020PG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GP1M018A020PG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GP1M018A020CG, PG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs170m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds950pF @ 25V
전력 - 최대94W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 1
다른 이름1560-1190-1
1560-1190-1-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)GP1M018A020PG
관련 링크GP1M018, GP1M018A020PG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통
GP1M018A020PG 의 관련 제품
0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) HMK212B7473MG-T.pdf
STI4510ACV CAF ST QFP STI4510ACV CAF.pdf
HS52/MS MIC MSOP-8 HS52/MS.pdf
CBB080 IC QFP CBB080.pdf
CDRH104R1R5NC SUMI SMD or Through Hole CDRH104R1R5NC.pdf
OV4ZRGBA OPT SMD or Through Hole OV4ZRGBA.pdf
LEDS3-3-26 RIC SMD or Through Hole LEDS3-3-26.pdf
434MH(RX3400-433) KP SMD or Through Hole 434MH(RX3400-433).pdf
85040 MURR SMD or Through Hole 85040.pdf
M67799HV MIT SMD or Through Hole M67799HV.pdf
LBN49.5-58ML/LBN45.75M NA NA LBN49.5-58ML/LBN45.75M.pdf