창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M013A050H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M013A050(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1918pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 183W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1181-1 1560-1181-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M013A050H | |
| 관련 링크 | GP1M013, GP1M013A050H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | MCT06030D2322BP100 | RES SMD 23.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2322BP100.pdf | |
![]() | 84614-5 | 84614-5 AMP/tyco SMD-BTB | 84614-5.pdf | |
![]() | 5RT-0125H | 5RT-0125H HOLLYFUSE SMD or Through Hole | 5RT-0125H.pdf | |
![]() | 1N23B | 1N23B MICROSEMI SMD | 1N23B.pdf | |
![]() | L40107 | L40107 ST SOP8 | L40107.pdf | |
![]() | 9080M | 9080M COBRA SMD or Through Hole | 9080M.pdf | |
![]() | 55845-1 | 55845-1 TE SMD or Through Hole | 55845-1.pdf | |
![]() | 36DA183F100CC2A | 36DA183F100CC2A CHM SMD or Through Hole | 36DA183F100CC2A.pdf | |
![]() | S12ME1IY | S12ME1IY SHARP SOP-6 | S12ME1IY.pdf | |
![]() | TSH6062CD | TSH6062CD TI 8 ld SOIC | TSH6062CD.pdf | |
![]() | GMA2675CST2 | GMA2675CST2 FAIRCHILD SMD or Through Hole | GMA2675CST2.pdf |