창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M013A050H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M013A050(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1918pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 183W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1181-1 1560-1181-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M013A050H | |
| 관련 링크 | GP1M013, GP1M013A050H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | 416F48033AAR | 48MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48033AAR.pdf | |
![]() | RP73D2A28RBTG | RES SMD 28 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A28RBTG.pdf | |
![]() | CMF5516K500BEEB | RES 16.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5516K500BEEB.pdf | |
![]() | CMF55165K00CHBF | RES 165K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF55165K00CHBF.pdf | |
![]() | PEB3065NV1.3 | PEB3065NV1.3 INFINEON PLCC44 | PEB3065NV1.3.pdf | |
![]() | 21314-F | 21314-F CSR BGA | 21314-F.pdf | |
![]() | 74AS37 | 74AS37 TI SOP14MM5.2 | 74AS37.pdf | |
![]() | SAFEB836MFL0F00R12 | SAFEB836MFL0F00R12 MURATA SMD or Through Hole | SAFEB836MFL0F00R12.pdf | |
![]() | 8442AYILF | 8442AYILF IDT SMD or Through Hole | 8442AYILF.pdf | |
![]() | 74LS123NSR | 74LS123NSR TI SOP | 74LS123NSR.pdf | |
![]() | 1EN31-6 | 1EN31-6 Honeywell SMD or Through Hole | 1EN31-6.pdf |