창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M010A080H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M010A080(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 4.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2336pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1177-1 1560-1177-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M010A080H | |
| 관련 링크 | GP1M010, GP1M010A080H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 | IXTH6N90A.pdf | |
![]() | TNPW251210K7BEEY | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251210K7BEEY.pdf | |
![]() | CP00071R000KE663 | RES 1 OHM 7W 10% AXIAL | CP00071R000KE663.pdf | |
![]() | MSF4800S-20-1280-SB1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-20-1280-SB1.pdf | |
![]() | TPST106M006R1000 | TPST106M006R1000 AVX SMD | TPST106M006R1000.pdf | |
![]() | SMH4803ASBHWMT | SMH4803ASBHWMT SUMMIT SOP | SMH4803ASBHWMT.pdf | |
![]() | BU8844FV | BU8844FV ROHM SMD or Through Hole | BU8844FV.pdf | |
![]() | CFSCC6.00MG1-TC10/6MHZ/SMD | CFSCC6.00MG1-TC10/6MHZ/SMD MURATA SMD or Through Hole | CFSCC6.00MG1-TC10/6MHZ/SMD.pdf | |
![]() | CB16BP12B | CB16BP12B CITIZENELECTRONICS SMD or Through Hole | CB16BP12B.pdf | |
![]() | MD82C54BC | MD82C54BC INTEL CDIP | MD82C54BC.pdf | |
![]() | CD4089DE | CD4089DE RCA DIP | CD4089DE.pdf | |
![]() | LA76950ADD 57E8-E | LA76950ADD 57E8-E SANYO DIP-64 | LA76950ADD 57E8-E.pdf |