창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M008A080(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A080H | |
관련 링크 | GP1M008, GP1M008A080H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | SM6227JTR560 | RES SMD 0.56 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JTR560.pdf | |
![]() | PPTR0500AP5VB | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 5 V Cylinder | PPTR0500AP5VB.pdf | |
![]() | AD704JR16 | AD704JR16 AD SOPW | AD704JR16.pdf | |
![]() | MC34C87DW | MC34C87DW MOT SOP | MC34C87DW.pdf | |
![]() | C3216C0G1C183JT000 | C3216C0G1C183JT000 TDK SMD | C3216C0G1C183JT000.pdf | |
![]() | STR04 | STR04 TI ZIP-3 | STR04.pdf | |
![]() | AD4468 | AD4468 AD QFN | AD4468.pdf | |
![]() | HCB5750VF-151T30 | HCB5750VF-151T30 TAI-TECH SMD | HCB5750VF-151T30.pdf | |
![]() | 2097MHZ | 2097MHZ ORIGINAL MVN-2097 | 2097MHZ.pdf | |
![]() | DV164037 | DV164037 MicrochipTechnology SMD or Through Hole | DV164037.pdf | |
![]() | 06033D105KAT2A. | 06033D105KAT2A. AVX Original Package | 06033D105KAT2A..pdf | |
![]() | D78053GCB18 | D78053GCB18 NEC QFP | D78053GCB18.pdf |