창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M005A050CH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M005A050CH, PH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.65옴 @ 2.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 627pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 92.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M005A050CH | |
관련 링크 | GP1M005, GP1M005A050CH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D120FLAAP | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D120FLAAP.pdf | |
![]() | MKT1813522404 | 2.2µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Axial 0.650" Dia x 1.634" L (16.50mm x 41.50mm) | MKT1813522404.pdf | |
![]() | ECW-H8912JL | 9100pF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | ECW-H8912JL.pdf | |
![]() | P1167.452NLT | 4.5µH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 30 mOhm Max Nonstandard | P1167.452NLT.pdf | |
![]() | CRCW25123R57FKEGHP | RES SMD 3.57 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW25123R57FKEGHP.pdf | |
![]() | PMR2800N | PMR2800N NXP SMD or Through Hole | PMR2800N.pdf | |
![]() | R0535GVW | R0535GVW AMIS BGA | R0535GVW.pdf | |
![]() | 82001777-0T2T | 82001777-0T2T ATMEL TQFP64 | 82001777-0T2T.pdf | |
![]() | A-232F9E | A-232F9E ORIGINAL SMD or Through Hole | A-232F9E.pdf | |
![]() | M27C800-90M1 | M27C800-90M1 ST SSOP-44 | M27C800-90M1.pdf | |
![]() | LQN6C331M04M00 | LQN6C331M04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQN6C331M04M00.pdf |