- GM1JR35200AE
GM1JR35200AE 가격 및 조달
가능 수량
77730 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GM1JR35200AE 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GM1JR35200AE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GM1JR35200AE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GM1JR35200AE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GM1JR35200AE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GM1JR35200AE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GM1JR35200AE | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | O603 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GM1JR35200AE | |
| 관련 링크 | GM1JR35, GM1JR35200AE 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GM1JR35200AE 의 관련 제품
 | SIT8208AI-GF-18E-37.400000Y | OSC XO 1.8V 37.4MHZ OE | SIT8208AI-GF-18E-37.400000Y.pdf | |
 | SK8403160L | MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO | SK8403160L.pdf | |
| CDRH6D12NP-6R4NC | 6.4µH Shielded Inductor 1.4A 119 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D12NP-6R4NC.pdf | |
.jpg) | RT0805DRE0788K7L | RES SMD 88.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0788K7L.pdf | |
| 16C57C-04/SS | 16C57C-04/SS MICROCHIP SSOP-18 | 16C57C-04/SS.pdf | |
| DS5022P-333 | DS5022P-333 COILCRAFT 5022P | DS5022P-333.pdf | |
| SMBG7V5A2 | SMBG7V5A2 gs SMD or Through Hole | SMBG7V5A2.pdf | |
| ECWU1563JC9 | ECWU1563JC9 ORIGINAL SMD or Through Hole | ECWU1563JC9.pdf | |
| 6033058 | 6033058 PLATIELETTROFORNI SMD or Through Hole | 6033058.pdf | |
| TLV809L30DBVRG4 | TLV809L30DBVRG4 TI SOT23 | TLV809L30DBVRG4.pdf | |
| ADS7843EG4/2K5 | ADS7843EG4/2K5 TI SSOP | ADS7843EG4/2K5.pdf | |
| 245077030110861+ | 245077030110861+ KYOCERA SMD or Through Hole | 245077030110861+.pdf |