창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GLZ18B T/R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GLZ18B T/R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GLZ18B T/R | |
| 관련 링크 | GLZ18B, GLZ18B T/R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32521C3474J189 | 0.47µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32521C3474J189.pdf | |
![]() | 416F440X3IAR | 44MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3IAR.pdf | |
![]() | SIT8008BC-33-33E-50.000000T | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8008BC-33-33E-50.000000T.pdf | |
![]() | SUD50N03-06AP-E3 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | SUD50N03-06AP-E3.pdf | |
![]() | B82422A3270K100 | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 140 mOhm Max 2-SMD | B82422A3270K100.pdf | |
![]() | D220G20C0GH63J5R | D220G20C0GH63J5R VISHAY DIP | D220G20C0GH63J5R.pdf | |
![]() | NC7W86L8X | NC7W86L8X FAIRCHILD micropak | NC7W86L8X.pdf | |
![]() | SDR0805-180M | SDR0805-180M BOURNS SMD or Through Hole | SDR0805-180M.pdf | |
![]() | 42-21A/G6C-GV1W2L/1T | 42-21A/G6C-GV1W2L/1T EVERLIGHT SMD or Through Hole | 42-21A/G6C-GV1W2L/1T.pdf | |
![]() | LM1086CT-33 | LM1086CT-33 NS SMD or Through Hole | LM1086CT-33.pdf | |
![]() | CXP80P116Q-2015 | CXP80P116Q-2015 SONY QFP | CXP80P116Q-2015.pdf | |
![]() | TI380C30PGE/APGE | TI380C30PGE/APGE TI QFP | TI380C30PGE/APGE.pdf |