창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GKI06109 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GKI06109 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Sanken | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.9m옴 @ 23.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 650µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2520pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | GKI06109 DK GKI06109TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GKI06109 | |
| 관련 링크 | GKI0, GKI06109 데이터 시트, Sanken 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4C4C0G2W101J060AA | 100pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4C4C0G2W101J060AA.pdf | |
![]() | AQ137M101JA1BE | 100pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M101JA1BE.pdf | |
![]() | RMCP1210FT560R | RES SMD 560 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCP1210FT560R.pdf | |
![]() | AD7713AQ | AD7713AQ ADI SMD or Through Hole | AD7713AQ.pdf | |
![]() | 911192111 | 911192111 SENKO SMD or Through Hole | 911192111.pdf | |
![]() | 16WA2200M16X16 | 16WA2200M16X16 RUBYCON DIP | 16WA2200M16X16.pdf | |
![]() | 2SD2125 | 2SD2125 TOSH DIP | 2SD2125.pdf | |
![]() | LDA2H2G6540G-254 | LDA2H2G6540G-254 MURATA SMD | LDA2H2G6540G-254.pdf | |
![]() | A8873CSANG6HA2(13-TNM123-01M01) | A8873CSANG6HA2(13-TNM123-01M01) ORIGINAL SMD or Through Hole | A8873CSANG6HA2(13-TNM123-01M01).pdf | |
![]() | TC7W02FUTE12R | TC7W02FUTE12R TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7W02FUTE12R.pdf | |
![]() | C8051F300-75 | C8051F300-75 SILICON MLP-11 | C8051F300-75.pdf | |
![]() | 5-292228-5 | 5-292228-5 AMP ORIGINAL | 5-292228-5.pdf |