창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GKI03061 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GKI03061 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Sanken | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1480pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | GKI03061 DK GKI03061TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GKI03061 | |
| 관련 링크 | GKI0, GKI03061 데이터 시트, Sanken 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R2BXXAC | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BXXAC.pdf | |
![]() | MR051A182KAA | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051A182KAA.pdf | |
![]() | D2060 | D2060 KEC TO-220F | D2060.pdf | |
![]() | MPC8360EZUALFHA | MPC8360EZUALFHA MOTOROLA BGA | MPC8360EZUALFHA.pdf | |
![]() | TEESVB30J107M8R | TEESVB30J107M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVB30J107M8R.pdf | |
![]() | M355ZCE216WPGSF | M355ZCE216WPGSF TI SMD or Through Hole | M355ZCE216WPGSF.pdf | |
![]() | TA2003FG(EL) | TA2003FG(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA2003FG(EL).pdf | |
![]() | 6417727BP160 | 6417727BP160 RENESAS BGA | 6417727BP160.pdf | |
![]() | SP8M6FTB | SP8M6FTB ORIGINAL SMD or Through Hole | SP8M6FTB.pdf | |
![]() | ELJNA3R3J-T | ELJNA3R3J-T ORIGINAL 3225 | ELJNA3R3J-T.pdf | |
![]() | NTE352 | NTE352 NTE SMD or Through Hole | NTE352.pdf |