창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E2R0CB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GJM0335C1E2R0CB01x GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 카탈로그 페이지 | 2149 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GJM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 2pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | 490-3060-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GJM0335C1E2R0CB01D | |
| 관련 링크 | GJM0335C1E, GJM0335C1E2R0CB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9121AC-1D2-33E156.258750T | OSC XO 3.3V 156.25875MHZ | SIT9121AC-1D2-33E156.258750T.pdf | |
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![]() | TCSCS0J106MBAR | TCSCS0J106MBAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS0J106MBAR.pdf | |
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![]() | NMB3031-0033 | NMB3031-0033 MEDL SMD or Through Hole | NMB3031-0033.pdf | |
![]() | XC6VLX195T-1FFG1156C | XC6VLX195T-1FFG1156C XILINX SMD or Through Hole | XC6VLX195T-1FFG1156C.pdf | |
![]() | QGA2001BW | QGA2001BW ORIGINAL PLCC68 | QGA2001BW.pdf | |
![]() | INA330AID(TLB) | INA330AID(TLB) BB MSOP10 | INA330AID(TLB).pdf |