창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GHXS030A060S-D1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GHXS030A060S-D1E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상, 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - 피크 역(최대) | 600V | |
전류 - DC 순방향(If) | 30A | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1560-1146 1560-1146-5 1560-1146-ND GHXS030A060SD1E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GHXS030A060S-D1E | |
관련 링크 | GHXS030A0, GHXS030A060S-D1E 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | ECS-160-S-5PX-TR | 16MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-160-S-5PX-TR.pdf | |
![]() | 405I35D12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35D12M00000.pdf | |
![]() | DR1040-8R2-R | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.98A 29 mOhm Max Nonstandard | DR1040-8R2-R.pdf | |
![]() | GAL16V8QS-25LNC | GAL16V8QS-25LNC NSC NA | GAL16V8QS-25LNC.pdf | |
![]() | OB2273 | OB2273 OB SOT23-6 | OB2273.pdf | |
![]() | 74HA86D | 74HA86D PH SOP | 74HA86D.pdf | |
![]() | 1210-200R | 1210-200R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-200R.pdf | |
![]() | R4250 | R4250 BBC DO-8 | R4250.pdf | |
![]() | NFORCETM MCP-D | NFORCETM MCP-D NVIDIA BGA | NFORCETM MCP-D.pdf | |
![]() | 35977-0500 | 35977-0500 MOLEX SMD or Through Hole | 35977-0500.pdf | |
![]() | TESVSP0G226M8 | TESVSP0G226M8 NEC 22UF4VP | TESVSP0G226M8.pdf | |
![]() | PI5C3257R | PI5C3257R PERICOM SSOP | PI5C3257R.pdf |