창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GDZT2R8.2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GDZ8.2 | |
| 카탈로그 페이지 | 1644 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | GMD2 | |
| 공급 장치 패키지 | GMD2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | GDZT2R8.2TR GDZT2R82 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GDZT2R8.2 | |
| 관련 링크 | GDZT2, GDZT2R8.2 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | L-07W7N5KV4T | 7.5nH Unshielded Wirewound Inductor 680mA 104 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W7N5KV4T.pdf | |
![]() | IS41S16100-7T | IS41S16100-7T ISSI TSSOP | IS41S16100-7T.pdf | |
![]() | 0603 360K 5% | 0603 360K 5% ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 360K 5%.pdf | |
![]() | 8008HL/C200 | 8008HL/C200 PHILIPS QFP | 8008HL/C200.pdf | |
![]() | 0603X7R1000PF | 0603X7R1000PF WLSN 50V | 0603X7R1000PF.pdf | |
![]() | CT-L14DC04-IG-BD | CT-L14DC04-IG-BD ORIGINAL BGA | CT-L14DC04-IG-BD.pdf | |
![]() | 35RASMT4BHNTRX | 35RASMT4BHNTRX CHAMPION SMD or Through Hole | 35RASMT4BHNTRX.pdf | |
![]() | LT1084CTPBF | LT1084CTPBF LT 50TUBETO220 | LT1084CTPBF.pdf | |
![]() | R1172D431B-TR-FE | R1172D431B-TR-FE RICOH SMD or Through Hole | R1172D431B-TR-FE.pdf | |
![]() | TP2050-13TR-C1 | TP2050-13TR-C1 TRIPHTE SOP36 | TP2050-13TR-C1.pdf | |
![]() | M39DS1723CT1C7AQ0 | M39DS1723CT1C7AQ0 SAM SMD or Through Hole | M39DS1723CT1C7AQ0.pdf | |
![]() | DG507ACR | DG507ACR HAR DIP | DG507ACR.pdf |