창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GC30U-11P1J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GC30U-11P1J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GC30U-11P1J | |
| 관련 링크 | GC30U-, GC30U-11P1J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D130JXCAC | 13pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D130JXCAC.pdf | |
![]() | CZRF52C3V9 | DIODE ZENER 3.9V 200MW 1005 | CZRF52C3V9.pdf | |
![]() | S4006VTP | SCR NON-SENS 400V 6A TO-251 | S4006VTP.pdf | |
![]() | BSZ900N20NS3 G | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON | BSZ900N20NS3 G.pdf | |
![]() | B82442A1685K | 6.8mH Unshielded Wirewound Inductor 30mA 88 Ohm Max 2-SMD | B82442A1685K.pdf | |
![]() | K9PDG08U2E-NCB0 | K9PDG08U2E-NCB0 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9PDG08U2E-NCB0.pdf | |
![]() | MBRB | MBRB ORIGINAL MSOP8 | MBRB.pdf | |
![]() | R3111H431A | R3111H431A RICOH SOT-89 | R3111H431A.pdf | |
![]() | HP32H121MRZ | HP32H121MRZ HITACHI DIP | HP32H121MRZ.pdf | |
![]() | PM3388-FI-BP | PM3388-FI-BP PMC SMD or Through Hole | PM3388-FI-BP.pdf | |
![]() | 10086097 | 10086097 JDSU SMD or Through Hole | 10086097.pdf |