창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GAP3SLT33-214 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GAP3SLT33-214 Datasheet | |
설계 리소스 | GAP3SLT33-214 Spice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 3300V(3.3kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 300mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.2V @ 300mA | |
속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 0ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3300V | |
정전 용량 @ Vr, F | 42pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | DO-214AA | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GAP3SLT33-214 | |
관련 링크 | GAP3SLT, GAP3SLT33-214 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CLS125NP-110NC | 11µH Unshielded Inductor 4.62A 42 mOhm Max Nonstandard | CLS125NP-110NC.pdf | |
![]() | RT0201FRE0739RL | RES SMD 39 OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE0739RL.pdf | |
![]() | ISL84541IUZ | ISL84541IUZ INTERSIL MSOP8 | ISL84541IUZ.pdf | |
![]() | ICS95159C-02CW28 | ICS95159C-02CW28 ICS SOP | ICS95159C-02CW28.pdf | |
![]() | DF3A6.2FV | DF3A6.2FV TOSHIBA SOT-723 | DF3A6.2FV.pdf | |
![]() | 11.0592MHZ 4P 6*3.5 6035 | 11.0592MHZ 4P 6*3.5 6035 TAIWAN SMD DIP | 11.0592MHZ 4P 6*3.5 6035.pdf | |
![]() | DRV632 | DRV632 TI TSSOP | DRV632.pdf | |
![]() | UFT2015 | UFT2015 APTMICROSEMI TO-220 | UFT2015.pdf | |
![]() | GDS1110BDET | GDS1110BDET INTEL BGA | GDS1110BDET.pdf | |
![]() | PDTC143TU | PDTC143TU PHI SMD or Through Hole | PDTC143TU.pdf | |
![]() | 1825-0206 | 1825-0206 ORIGINAL BGA | 1825-0206.pdf |