창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GA20JT12-263 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GA20JT12-263 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 20A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3091pF @ 800V | |
| 전력 - 최대 | 282W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GA20JT12-263 | |
| 관련 링크 | GA20JT1, GA20JT12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C2A100JA01D | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A100JA01D.pdf | |
![]() | ELF-23F003A | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 300mA DCR 2.989 Ohm (Typ) | ELF-23F003A.pdf | |
![]() | PHP00805E4530BBT1 | RES SMD 453 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E4530BBT1.pdf | |
![]() | CF18JT3K90 | RES 3.9K OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JT3K90.pdf | |
![]() | AAT1343-TE-T | AAT1343-TE-T AAT TSSOP-16 | AAT1343-TE-T.pdf | |
![]() | X6874 | X6874 EPCOS SMD | X6874.pdf | |
![]() | HP32W151MCYS3PF | HP32W151MCYS3PF HITACHI DIP | HP32W151MCYS3PF.pdf | |
![]() | ABT7819-20 | ABT7819-20 TI QFP | ABT7819-20.pdf | |
![]() | SAB-C161PI-LF V3 | SAB-C161PI-LF V3 INFINEON QFP100 | SAB-C161PI-LF V3.pdf | |
![]() | PC817/LTV-817S-TA | PC817/LTV-817S-TA ORIGINAL SOP-4 | PC817/LTV-817S-TA.pdf | |
![]() | ADS1100A7IDBVRG4 | ADS1100A7IDBVRG4 TI SOT23-6 | ADS1100A7IDBVRG4.pdf | |
![]() | 1N3595US-1 | 1N3595US-1 MICROSEMI SMD | 1N3595US-1.pdf |