창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA10SICP12-263 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA10SICP12-263 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 10A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1403pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-8, D²Pak(7리드(lead)+탭), TO-263CA | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA10SICP12-263 | |
관련 링크 | GA10SICP, GA10SICP12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0402D130JLAAJ | 13pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D130JLAAJ.pdf | ||
STTH1003SBY-TR | DIODE GEN PURP 300V 10A DPAK | STTH1003SBY-TR.pdf | ||
NE85619-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-523 | NE85619-A.pdf | ||
IS/IC61LV25616/AL/AT-12T/10T | IS/IC61LV25616/AL/AT-12T/10T MEMORY SMD | IS/IC61LV25616/AL/AT-12T/10T.pdf | ||
DS5022P-824 | DS5022P-824 Coilcraft NA | DS5022P-824.pdf | ||
PI90LVT9637 | PI90LVT9637 Pericom SOP8 | PI90LVT9637.pdf | ||
MBGG12103M105CF | MBGG12103M105CF HIT QFP( ) | MBGG12103M105CF.pdf | ||
HY5V16EF6P-H | HY5V16EF6P-H HYNIX SMD or Through Hole | HY5V16EF6P-H.pdf | ||
CRYSTAL 14.31818MHZ | CRYSTAL 14.31818MHZ PRE SMD or Through Hole | CRYSTAL 14.31818MHZ.pdf | ||
PK110FG100 | PK110FG100 ORIGINAL SMD or Through Hole | PK110FG100.pdf | ||
TMP87C408M-1281 | TMP87C408M-1281 TOS DIP | TMP87C408M-1281.pdf |