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GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247

GA08JT17-247
제조업체 부품 번호
GA08JT17-247
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
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내부 부품 번호EIS-GA08JT17-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GA08JT17-247
주요제품Silicon Carbide Transistor
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형접합 트랜지스터, 상시 꺼짐
FET 특징실리콘 카바이드(SiC)
드레인 - 소스 전압(Vdss)1700V(1.7kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)(90°C)
Rds On(최대) @ Id, Vgs250m옴 @ 8A
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대16W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247AB
표준 포장 30
다른 이름1242-1135
GA08JT17247
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)GA08JT17-247
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